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- 集成電路及微電子制造
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微納電路蒸鍍系統(tǒng)TES150
產(chǎn)品型號(hào):TES150
微納電路蒸鍍系統(tǒng)
- 詳細(xì)內(nèi)容
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基本參數(shù)
1、基片尺寸:6吋及以下;
2、樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn):自轉(zhuǎn)速度0~10轉(zhuǎn)/分;
3、基片升降:樣品到蒸發(fā)源距離可調(diào),250-350mm;
4、操作方式:全自動(dòng)方式操作;
5、系統(tǒng)總控:人機(jī)界面及控制程序;
6、電源:220VAC/50Hz,10KW;
7、機(jī)器重量:530kg;
8、機(jī)器尺寸:D810mm× W1220mm×H1830mm。
蒸發(fā)源、電源及鍍膜室
1、蒸發(fā)源(金屬舟狀)1套;
2、金屬蒸發(fā)電源:2套,3KW/套,數(shù)字顯示,其中一套為切換蒸發(fā)電源;
3、蒸發(fā):水冷電極三組,配有交叉防污染板,自動(dòng)擋板, 配兩套數(shù)顯蒸發(fā)電源功率為3KW;
4、真空室:圓柱形 304 不銹鋼腔體,正面開門結(jié)構(gòu);
5、極限真空:優(yōu)于 6.67*10-5 Pa;
6、真空系統(tǒng):采用 FF160/620 分子泵+6-8 升/S 旋片式機(jī)械泵組成;
7、真空測(cè)量:一低一高數(shù)顯復(fù)合真空計(jì),一只電阻規(guī)測(cè)量前級(jí)預(yù)抽低真空,一只電離規(guī)測(cè)量真空室高真空,全金屬規(guī)管;
8、抽氣時(shí)間:大氣壓~3*10-4 Pa≤40min;
9、恢復(fù)工作真空時(shí)間:≤35分鐘左右(新設(shè)備充干氮?dú)猓?
10、漏率:關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤10Pa。
膜厚監(jiān)測(cè)及保護(hù)系統(tǒng)
1、配備膜厚監(jiān)測(cè)儀;
2、配備1支石英晶振水冷探頭;
3、設(shè)備保護(hù)系統(tǒng):對(duì)泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù);具備完善的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng)。
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